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分离式半导体产品 >> FET - 单 |
STD5NM60-1 PDF |
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标准包装 |
75 |
系列 |
MDmesh™ |
FET 型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物
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FET 特点 |
标准
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漏极至源极电压(Vdss) |
600V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
5A
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
1 欧姆 @ 2.5A,10V
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Id 时的 Vgs(th)(最大) |
5V @ 250µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs |
18nC @ 10V
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输入电容 (Ciss) @ Vds |
400pF @ 25V
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功率 - 最大 |
96W
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安装类型 |
通孔
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封装/外壳 |
TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
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供应商设备封装 |
I-Pak
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包装 |
管件
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其它名称 |
497-12786-5 STD5NM60-1-ND
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